光刻技術是將掩模版上的圖形，轉移到涂有光致抗蝕劑（或者稱光刻膠）的硅片上，通過一系列的生產(chǎn)步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉移技術。主要用于制造半導體元件，印刷板，印刷電路板，液晶顯示面板，等離子顯示面板等。

根據(jù)曝光方式的不同，光刻機也主要分為接觸式，接近式以及投影式3種。

接觸式光刻機是最簡單的光刻機，其優(yōu)點是設備簡單，分辨率高，沒有衍射效應。而缺點是掩模版與涂有光刻膠的晶圓片直接接觸，每次接觸都會在晶圓片和掩模版上產(chǎn)生缺陷，降低掩模版的使用壽命，成品率比較低，不適合大規(guī)模的生產(chǎn)。

接近式的光刻機掩模版與光刻膠間隔10~50μm，所以缺陷大大減少，優(yōu)點是避免晶圓片與掩模直接接觸，缺陷少，缺點是分辨率下降，存在衍射的效應。

如今硅片光學曝光最主要的方法是投影式曝光，這種方法有接觸式的分辨率，但不產(chǎn)生缺陷。

光刻設備主要采用的是汞燈作為曝光光源， 光源的波長對提高分辨率非常重要,利用UV能量計對固化光源的強度和能量進行檢測，防止紫外線強度過高對分辨率產(chǎn)生重大影響。這也就是光刻曝光技術需要UV能量計參與的原因。

林上的UV能量計LS120和LS130都是高壓汞燈固化專用的檢測儀器。

UV能量計LS120可以檢測紫外線燈的能量，功率和溫度，還具有功率曲線和溫度曲線圖顯示。

而UV能量計LS130則可以檢測紫外線燈的能量和功率，具有功率曲線，還可以統(tǒng)計功率最大值，采用耐高溫設計，可長時間運行在100攝氏度的環(huán)境中。